• 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容器搭配使用時可保持穩(wěn)定

• 輸入電壓范圍：2.2V 至 5.5V

• 超低壓降：1A 時典型值為 130mV

• 即使使用僅為 1μF 的輸出電容器，也能實現(xiàn)出色的負載瞬態(tài)響應(yīng)

• NMOS 拓撲結(jié)構(gòu)可提供低反向泄漏電流

• 初始精度為 1%

• 在線路、負載和溫度范圍內(nèi)總精度為 3%

• 關(guān)斷模式下，IQ 典型值小于 20nA

• 熱關(guān)斷和電流限制可實現(xiàn)故障保護

• 提供多個輸出電壓版本

• 可調(diào)節(jié)輸出：1.20V 至 5.5V

• 使用工廠封裝級編程，可提供定制輸出

TPS737xx 系列線性低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器在電壓跟隨器配置中使用了 NMOS 旁路元件。該拓撲結(jié)構(gòu)對輸出電容值和等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，從而實現(xiàn)多種負載配置。負載瞬態(tài)響應(yīng)出色，即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。NMOS 拓撲結(jié)構(gòu)也可實現(xiàn)超低壓降。

TPS737xx 系列利用先進的 BiCMOS 工藝實現(xiàn)高精度，同時提供超低的壓降和低接地引腳電流。未啟用時的電流消耗小于 20nA，適用于便攜式 應(yīng)用。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護。

對于要求更高輸出電壓精度的 應(yīng)用 ，請考慮 TI 的 TPS7A37xx 系列 1% 總精度、1A 低壓降穩(wěn)壓器。